第四十九章 新材料
“氮化鎵GaN?”三人聞言,眼前一亮,這是個好東西,還有砷化鎵,銻化銦···搞半導體的好材料。
“對,我們用氮化鎵作雷達的微波元件材料,同時以碳化硅SiC襯,氮化鎵GaN薄膜外延,襯底碳化硅是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料,它具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高···”
“氮化鎵具有極高的熱導率和電子遷移率,能夠在高功率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定...
“氮化鎵GaN?”三人聞言,眼前一亮,這是個好東西,還有砷化鎵,銻化銦···搞半導體的好材料。
“對,我們用氮化鎵作雷達的微波元件材料,同時以碳化硅SiC襯,氮化鎵GaN薄膜外延,襯底碳化硅是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料,它具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高···”
“氮化鎵具有極高的熱導率和電子遷移率,能夠在高功率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定...