第四十九章 新材料
“氮化鎵GaN？”三人聞言，眼前一亮，這是個好東西，還有砷化鎵，銻化銦···搞半導體的好材料。
“對，我們用氮化鎵作雷達的微波元件材料，同時以碳化硅SiC襯，氮化鎵GaN薄膜外延，襯底碳化硅是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料，它具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高···”
“氮化鎵具有極高的熱導率和電子遷移率，能夠在高功率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定...
“氮化鎵GaN？”三人聞言，眼前一亮，這是個好東西，還有砷化鎵，銻化銦···搞半導體的好材料。
“對，我們用氮化鎵作雷達的微波元件材料，同時以碳化硅SiC襯，氮化鎵GaN薄膜外延，襯底碳化硅是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料，它具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高···”
“氮化鎵具有極高的熱導率和電子遷移率，能夠在高功率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定...